BSZ086P03NS3E G 全國供應商、價格、PDF資料

BSZ086P03NS3E G詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V

功率_最大：69W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包裝：Digi-Reel®

BSZ086P03NS3E G詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V

功率_最大：69W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包裝：剪切帶 (CT)

BSZ086P03NS3E G詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.6 毫歐 @ 20A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 105µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：57.5nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：4785pF @ 15V

功率_最大：69W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

包裝：帶卷 (TR)

• C3216X7R1E105K/1.60

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206

• C0805C820F5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 82PF 50V 1% NP0 0805

• BTS3118N

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關    Infineon Technologies    TO-261-4，TO-261AA    IC SWITCH N-CH LOW SIDE SOT223-4

• BH28RB1WGUT-E2

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Rohm Semiconductor    4-WFBGA，CSPBGA    IC REG LDO 2.8V .15A 4-VCSP

• BSZ086P03NS3E G

  FET - 單    Infineon Technologies    8-PowerTDFN    MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

• C2012SL1A683J

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805

• C1005C0G1H430J

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402

• C3216X7R1E105K/1.60

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206

• C0805C820G1GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 82PF 100V 2% NP0 0805

• BH29NB1WHFV-TR

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Rohm Semiconductor    SOT-665    IC REG LDO 2.9V .15A 5HVS0F

• C1005C0G1H430J

  陶瓷    TDK Corporation    0402（1005 公制）    CAP CER 43PF 50V 5% NP0 0402

• C2012SL1A683J

  陶瓷    TDK Corporation    0805（2012 公制）    CAP CER 0.068UF 10V 5% SL 0805

• C0805C820G5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 82PF 50V 2% NP0 0805

• C3216X7R1E105K/1.60

  陶瓷    TDK Corporation    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 10% X7R 1206

• BTS3160D

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關    Infineon Technologies    TO-252-6，DPak（5 引線 + 接片）    IC SWITCH PWR LOSIDE TO252-5